RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Comparar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
48
Por volta de -153% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.2
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
19
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
19.2
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
13.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
3075
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation M424016 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link