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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
48
左右 -153% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.2
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
19
读取速度,GB/s
8.9
19.2
写入速度,GB/s
5.9
13.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3075
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
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G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB RAM的比较
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
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Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
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