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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
48
Por volta de -66% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.2
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.8
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
29
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
20.2
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
16.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
3925
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
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