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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Comparar
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,072.7
12.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
75
Por volta de -114% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
75
35
Velocidade de leitura, GB/s
2,730.3
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,072.7
12.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
858
2927
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Comparações de RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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