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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Gesamtnote
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,072.7
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
75
Rund um -114% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
75
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,730.3
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,072.7
12.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
858
2927
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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