Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB против SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    2 left arrow 15.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    2,072.7 left arrow 12.5
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    35 left arrow 75
    Около -114% меньшая задержка
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 5300
    Около 4.02 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    75 left arrow 35
  • Скорость чтения, Гб/сек
    2,730.3 left arrow 15.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,072.7 left arrow 12.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    no data left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    858 left arrow 2927
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения