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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Comparez
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Note globale
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Note globale
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,072.7
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
75
Autour de -114% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
75
35
Vitesse de lecture, GB/s
2,730.3
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,072.7
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
858
2927
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Comparaison des RAM
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A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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