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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB

総合得点
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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

総合得点
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SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB 考慮すべき理由
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 15.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,072.7 left arrow 12.5
    テスト平均値
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    35 left arrow 75
    周辺 -114% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 5300
    周辺 4.02 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    75 left arrow 35
  • 読み出し速度、GB/s
    2,730.3 left arrow 15.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,072.7 left arrow 12.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    no data left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    858 left arrow 2927

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