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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
比较
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
总分
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
总分
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,072.7
12.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
75
左右 -114% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
35
读取速度,GB/s
2,730.3
15.8
写入速度,GB/s
2,072.7
12.5
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
858
2927
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB RAM的比较
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
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