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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
比较
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
总分
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
总分
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
38
左右 32% 更低的延时
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
7.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
38
读取速度,GB/s
11.9
15.6
写入速度,GB/s
7.6
12.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1610
2316
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
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