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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.2
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.1
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
29
读取速度,GB/s
13.8
18.2
写入速度,GB/s
8.4
16.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3748
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
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