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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
11.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
87
左右 -85% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
47
读取速度,GB/s
3,155.6
14.8
写入速度,GB/s
870.4
11.6
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2875
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
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