RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
47
87
Rund um -85% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
47
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
11.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
2875
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link