RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Comparar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.7
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
48
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
15.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
3047
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link