RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
11.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
77
Por volta de -148% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
31
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
11.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
2330
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link