RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
11.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
77
Около -148% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
14.9
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2330
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link