RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Comparar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
46
48
Por volta de -4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.3
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.2
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
46
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
9.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
2324
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kllisre 0000 8GB
Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link