RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Comparar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
48
Por volta de -71% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.6
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
28
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
14.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
3567
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link