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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Comparar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
48
54
Por volta de 11% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.3
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.3
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
54
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
9.3
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
7.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
1904
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
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