RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
25
Por volta de 4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
15.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
25
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
13.4
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2786
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link