RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
25
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2786
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link