RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
36
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
36
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3422
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link