RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
56
Wokół strony 48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
56
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
17000
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2711
2200
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link