RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
38
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
38
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
3183
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link