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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Comparez
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Note globale
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Note globale
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
56
Autour de 48% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
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Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
56
Vitesse de lecture, GB/s
15.8
9.3
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
17000
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2711
2200
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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