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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Compara
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Puntuación global
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
56
En 48% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
7.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
56
Velocidad de lectura, GB/s
15.8
9.3
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
17000
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2711
2200
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
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