RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.4
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2786
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link