RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Comparar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
48
94
Por volta de 49% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
8.9
5.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
5.9
4.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
94
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
5.6
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
4.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
1334
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link