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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Comparar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
48
51
Por volta de 6% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
51
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
11.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
2687
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
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