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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
48
Por volta de -71% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.2
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.3
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
28
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
12.2
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
9.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
2382
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
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