RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Comparar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
48
Por volta de -50% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
32
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
12.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
2958
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB Comparações de RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link