RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Comparar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
48
Por volta de -100% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.0
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
24
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
20.0
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
17.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
3911
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Transcend Information JM1600KLH-8G 8GB
Kingston 9965525-138.A00LF 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link