Comparação RAM Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Pontuação geral

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Razões a considerar
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

31 48

Por volta de -55% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

20.5 8.9

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

15.5 5.9

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

25600 10600

Por volta de 2.42 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

1420 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns