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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Comparar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
48
Por volta de -33% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
36
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
11.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
2734
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
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