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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB

总分
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

总分
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB 需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    36 left arrow 48
    左右 -33% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.5 left arrow 8.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.9 left arrow 5.9
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 10600
    左右 2.42 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    48 left arrow 36
  • 读取速度，GB/s
    8.9 left arrow 15.5
  • 写入速度，GB/s
    5.9 left arrow 11.9
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1420 left arrow 2734

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较

G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2

最新比较

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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
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内存RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
内存RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
内存RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
内存RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
内存RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
内存RAM
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.4010C 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.4010C 8GB
内存RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
内存RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
内存RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
内存RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
内存RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
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