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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
总分
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
38
左右 -36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.9
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
6.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
28
读取速度,GB/s
10.9
12.9
写入速度,GB/s
6.6
15.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1406
3152
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
AMD R748G2133U2S 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
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