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AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
67
左右 -131% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
29
读取速度,GB/s
6.8
18.3
写入速度,GB/s
3.6
15.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
3555
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
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Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
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