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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Comparar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
48
Por volta de -71% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.6
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
12800
10600
Por volta de 1.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
48
28
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
12.6
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
8.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
12800
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
1822
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
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