RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Comparar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
48
Por volta de -100% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.3
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
24
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
11.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
2370
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M392B1K70CM0-CH9 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link