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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
48
左右 -100% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
24
读取速度,GB/s
8.9
15.0
写入速度,GB/s
5.9
11.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2370
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
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Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Mushkin 996902 2GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
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