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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
47
Por volta de -62% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.4
9.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.7
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
29
Velocidade de leitura, GB/s
9.3
18.4
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
11.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1413
3030
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
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