RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Comparar
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
47
Por volta de -57% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
9.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
30
Velocidade de leitura, GB/s
9.3
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
13.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1413
3324
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB Comparações de RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link