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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Comparar
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
47
49
Por volta de 4% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.8
9.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
49
Velocidade de leitura, GB/s
9.3
9.8
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
8.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1413
2277
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparações de RAM
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
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