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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Comparar
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
47
81
Por volta de 42% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.3
8.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
5.9
5.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
81
Velocidade de leitura, GB/s
9.3
8.5
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
5.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1413
1651
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
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