RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Comparar
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
47
Por volta de -81% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.6
9.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.2
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
26
Velocidade de leitura, GB/s
9.3
18.6
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
16.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1413
3756
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB Comparações de RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link