RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Comparar
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
47
Por volta de -114% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.4
9.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
22
Velocidade de leitura, GB/s
9.3
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
12.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1413
3036
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link