RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Comparar
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
47
Por volta de -68% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
9.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
28
Velocidade de leitura, GB/s
9.3
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
11.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1413
2948
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Mushkin 996902 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link