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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
47
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
28
读取速度,GB/s
9.3
16.7
写入速度,GB/s
5.9
11.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1413
2948
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM的比较
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Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB RAM的比较
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
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