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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
31
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.5
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
31
读取速度,GB/s
13.4
16.5
写入速度,GB/s
8.0
12.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3072
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
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Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
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