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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Pontuação geral
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Razões a considerar
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
41
Por volta de -8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.6
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.9
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
38
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
13.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2016
3320
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
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